Investigadores de la Universidad de Tianjin y el Instituto de Tecnología de Georgia, crearon un semiconductor viable con un interruptor de encendido y apagado hecho de grafeno, un material de carbono muy superior al silicio, en términos de su potencial electrónico.
Los expertos chinos y estadounidenses, lograron abrir la banda prohibida, para producir grafeno sobre sustratos monocristalinos de carburo de silicio (SiC, siglas en inglés), con una banda prohibida de 0,6 eV (eV: electronvoltio).
Los investigadores señalan que esta innovadora propuesta, abre una puerta para dispositivos electrónicos de alto rendimiento, más allá de la tecnología tradicional basada en silicio, lo que prevé un cambio fundamental en la electrónica.
El grafeno es un material bidimensional formado por una sola capa de átomos de carbono. Lo que lo convierte actualmente en el material electrónico más prometedor en este campo.
Además, la movilidad, a temperatura ambiente, del grafeno desarrollado por los dos equipos de investigación, es diez veces mayor que la del silicio, según un estudio publicado recientemente en la revista Nature.
Fuente: Medios Internacionales
